TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FETs

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ Gallium Nitride (GaN) FETs are available in TOLT, TO247, and TOLL packages. These GaN FETs use the Gen IV Plus SuperGaN® platform, which combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET to offer superior performance, standard drive, ease of adoption, and reliability.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
規格書
351庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
規格書
798庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics 氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
規格書
1,428庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN