600V CoolMOS P7功率晶體管

Infineon 600V CoolMOS P7功率晶體管是第7代裝置並採用適用於高電壓功率MOSFETs的革新性技術。該晶體管根據超結(SJ)原則設計而成，由Infineon Technologies率先製造。600V CoolMOS P7綜合快速開關SJ MOSFET的益處與卓越易用性於一體。600V P7擁有極低的響鈴趨勢、可承受繁重交換任務的卓越體二晶體堅固性，以及出色的防靜電性能。極低的開關和傳導損失使開關應用更高效、纖巧和更低溫。
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結果: 59
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
規格書
862預期2026/7/2
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
規格書
10,118預期2026/12/10
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
規格書
1,000預期2026/10/15
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
規格書
220預期2026/7/23
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
規格書
1,500預期2026/11/12
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
規格書
1,499在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
規格書
3,200預期2026/9/24
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
規格書
240預期2026/8/27
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
規格書
無庫存前置作業時間 17 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube