IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

結果: 44
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
規格書
417庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
規格書
640庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
7,820庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
規格書
1,112庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
規格書
601庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
規格書
347庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
規格書
198庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
規格書
285庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
規格書
1,573庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 188 A 824 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
規格書
305庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 216 A 1.004 kW - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
規格書
348庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
規格書
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
規格書
420庫存量
480預期2026/9/17
最少： 1
倍數： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
規格書
747庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
規格書
318庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
規格書
350庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package
規格書
無庫存前置作業時間 30 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
規格書
176庫存量
240預期2027/3/25
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
規格書
201庫存量
240預期2026/7/9
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
規格書
232庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
規格書
162庫存量
240預期2026/12/10
最少： 1
倍數： 1
最大： 20

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
規格書
35庫存量
240預期2026/10/1
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
規格書
317庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
規格書
97庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
規格書
68庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube