IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

結果: 44
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
規格書
93庫存量
240預期2026/9/3
最少： 1
倍數： 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
規格書
187庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
1,718庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
規格書
27庫存量
240預期2026/9/17
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
91庫存量
720預期2026/7/16
最少： 1
倍數： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
479庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
90庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
62庫存量
960預期2026/7/16
最少： 1
倍數： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
16庫存量
1,440在途量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
119庫存量
720預期2026/7/17
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
規格書
130庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 154 A 630 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
規格書
2,640在途量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
2,400在途量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
規格書
680在途量
最少： 1
倍數： 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
規格書
475預期2026/7/15
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
規格書
240預期2026/8/27
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 427 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
規格書
240預期2026/10/8
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube