MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

結果: 141
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1,000
倍數： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i
規格書
前置作業時間 14 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,000
倍數： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 3.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
規格書
前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
規格書
前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
規格書
前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18.5 A 299 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,000
倍數： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1,000
倍數： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 3 A 2.9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1,000
倍數： 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 900
倍數： 300

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 2 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
規格書
暫無庫存
最少： 1,000
倍數： 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 3,000
倍數： 3,000

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 600
倍數： 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube