SCT3030ARC15

ROHM Semiconductor
755-SCT3030ARC15
SCT3030ARC15

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$746.64 NT$746.64
NT$610.98 NT$6,109.80
NT$539.92 NT$53,992.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
70 A
39 mOhms
- 4 V, + 22 V
5.6 V
104 nC
+ 175 C
262 W
Enhancement
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 25 ns
互導 - 最小值: 9.4 S
封裝: Tube
產品: MOSFET's
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 26 ns
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 25 ns
標準開啟延遲時間: 6 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

Specification Sheets

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. Their low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. These ROHM SiC Power MOSFETs exhibit minimal ON-resistance increases and provides greater package miniaturization. This provides more energy savings than standard Si devices, in which the ON-resistance can more than double with increased temperature.

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