NTBG023N065M3S

Name: onsemi NTBG023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG023N065M3S
Price: 438.45 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTBG023N065M3S

製造商編號：

NTBG023N065M3S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

NTBG023N065M3S 規格書

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$438.45	NT$438.45
	NT$304.01	NT$3,040.10
完整捲（訂購多個800）
	NT$304.01	NT$243,208.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	40 A
Rds On - 漏-源電阻:	33 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	69 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	263 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	9.6 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	SiC MOSFETS
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	15 ns
系列:	NTBG023N065M3S
原廠包裝數量:	800
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	35 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns

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所選屬性: 0

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規格書

NTBG023N065M3S 規格書

合規守則

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET

onsemi NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET offers an M3S planar technology for fast-switching applications in a D2PAK-7L package. This MOSFET features 650V drain-to-source voltage, 40A continuous drain current, 263W power dissipation, and 216A pulsed drain current. The NTBG023N065M3S MOSFET integrates an ultra-low gate charge and high-speed switching MOSFET with low capacitance (Coss = 153pF). This MOSFET operates at -55°C to 175°C temperature range and is 100% avalanche-tested. The NTBG023N065M3S MOSFET is Halide-free and RoHS compliant with a 7a exemption. Typical applications include Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, UPS, energy storage, and EV charging infrastructure.

NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG025N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.