W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4

Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4在命令/位址 (CA) 匯流排上提供單晶片封裝 (SDP) 或雙晶片封裝 (DDP) 以及2或4時脈架構。因此LPDDR4可運用CA匯流排上的2或4時脈架構來減少系統中的輸入腳位數。6位元CA匯流排包含命令、位址和Bank資訊。每個命令使用1、2或4時脈週期，在此期間命令資訊在時脈正緣傳輸。

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Winbond DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1600MHz, -40C 105C
規格書
128庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz WFBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Winbond DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C 105C
規格書
424庫存量
7預期2026/4/16
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Winbond DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, -40C 105C
規格書
53庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz WFBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray