SCT4013DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DW7TL
Price: 948.6 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

755-SCT4013DW7TL

製造商編號：

SCT4013DW7TL

製造商：

ROHM Semiconductor

說明：

碳化矽MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC

規格書:

SCT4013DW7TL 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於ROHM Semiconductor SCT4013DW7TL的資訊

庫存量: 344

庫存：: 344 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 27 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

此產品已報告長備貨期。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個1000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$948.60	NT$948.60
	NT$780.98	NT$7,809.80
	NT$768.06	NT$76,806.00
完整捲（訂購多個1000）
	NT$761.60	NT$761,600.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ROHM Semiconductor
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-263-7
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	750 V
Id - C連續漏極電流:	98 A
Rds On - 漏-源電阻:	16.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.8 V
Qg - 閘極充電:	170 nC
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	267 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	ROHM Semiconductor
合規:	Done
配置:	Single
下降時間:	17 ns
互導 - 最小值:	32 S
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	MOSFET's
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	32 ns
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	82 ns
標準開啟延遲時間:	17 ns
零件號別名:	SCT4013DW7

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SCT4013DW7TL 規格書

Specification Sheets

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET is a 750V, 13mΩ low on-resistance MOSFET designed for fast switching. The SCT4013DW7 offers a fast reverse recovery, is easy to parallel, and is simple to drive. The ROHM SCT4013DW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.