NXVF6532M3TG01

onsemi
863-NXVF6532M3TG01
NXVF6532M3TG01

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$848.98 NT$848.98
NT$694.62 NT$6,946.20
NT$613.70 NT$61,370.00
25,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
APM-16
N-Channel
4 Channel
650 V
31 A
44 mOhms
- 8 V, + 22 C
4 V
58 nC
- 55 C
+ 175 C
65.2 W
Enhancement
品牌: onsemi
配置: Quad
下降時間: 9.2 ns
互導 - 最小值: 12 S
封裝: Tube
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 6 ns
系列: NXVF6532M3TG01
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 4 N-Channel
類型: Half Bridge
標準斷開延遲時間: 33.2 ns
標準開啟延遲時間: 8.4 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET Module is designed for demanding power conversion applications in automotive and industrial environments. Built with advanced Silicon Carbide (SiC) technology, the onsemi NXVF6532M3TG01 delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance. The module integrates four 32mΩ SiC MOSFETs in an H-Bridge configuration, making the device ideal for use in onboard chargers (OBCs), DC-DC converters, and electric vehicle (EV) powertrain systems. Housed in a compact APM16 package with integrated temperature sensing, the component supports high power density and reliable thermal management. The NXVF6532M3TG01 is AEC-Q101/Q200 and AQG324 qualified, ensuring automotive-grade reliability and performance in harsh operating conditions.

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