MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature 139W to 227W maximum power dissipation (Tc=25°C) and 29A to 49A continuous drain current (Tc=25°C). The MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247 3L or TO-247 4L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
規格書
2,313庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors 碳化矽MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC