Trench8 MOSFET

安森美半導體Trench8 MOSFET具有低最大導通電阻(RDS(ON)、超低柵極電荷(Qg)和低(Qg) x RDS(ON)，即功率轉換應用中使用的MOSFET的關鍵品質因數 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基於T6技術的優化開關性能，與Trench6系列相比，QG和Qoss降低了35%至40%。

結果: 103
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
onsemi MOSFET T8 80V LL NFET
規格書
前置作業時間 19 週
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 224 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 8 80V NFET
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET TRENCH 8 80V NFET
規格書
無庫存前置作業時間 19 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 48 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel