IXSH80N120L2KHV

IXYS
747-IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 392

庫存：
392 可立即送貨
工廠前置作業時間：
27 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$423.30 NT$423.30
NT$344.76 NT$3,447.60
NT$287.30 NT$34,476.00
NT$255.68 NT$130,396.80
NT$239.02 NT$243,800.40

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
79 A
39 mOhms
- 5 V, + 20 V
135 nC
- 55 C
+ 175 C
395 W
Enhancement
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 14 ns
封裝: Tube
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 24.4 ns
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
標準斷開延遲時間: 28.8 ns
標準開啟延遲時間: 12.8 ns
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is designed with an ultra-fast intrinsic body diode and offers a maximum virtual junction temperature of 175°C. The IXSH80N120L2KHV MOSFET features high blocking voltage with low on-resistance and high-speed switching with low capacitance. The IXSH80N120L2KHV MOSFET is used in switch mode power supplies, solar inverters, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating applications.

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