NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET
Onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC(碳化矽)MOSFET針對快速開關應用進行了最佳化,具有低至22mΩ的漏極至源極導通電阻。M3S系列SiC MOSFET在使用18V柵極驅動驅動器時可提供最佳效能,且在使用15V柵極驅動時也能很好地運行。此裝置採用平面技術,可在負閘極電壓驅動下可靠地工作,並能關閉閘極上的尖峰。
臺灣|
新臺幣
國際貿易術語:貨交承運人(裝運地點) 關稅、海關手續費和貨物服務稅在交貨時收取。 對於超過 NT$1,400 (TWD) 的訂單免運費 僅接受信用卡支付 |
|
美元
國際貿易術語:貨交承運人(裝運地點) 交貨時客戶負責關稅、海關規費和增值稅。 對於超過 $50 (USD) 的訂單免運費 所有支付選項均供選擇 |
Onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC(碳化矽)MOSFET針對快速開關應用進行了最佳化,具有低至22mΩ的漏極至源極導通電阻。M3S系列SiC MOSFET在使用18V柵極驅動驅動器時可提供最佳效能,且在使用15V柵極驅動時也能很好地運行。此裝置採用平面技術,可在負閘極電壓驅動下可靠地工作,並能關閉閘極上的尖峰。