NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET
Onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC(碳化矽)MOSFET針對快速開關應用進行了最佳化,具有低至22mΩ的漏極至源極導通電阻。M3S系列SiC MOSFET在使用18V柵極驅動驅動器時可提供最佳效能,且在使用15V柵極驅動時也能很好地運行。此裝置採用平面技術,可在負閘極電壓驅動下可靠地工作,並能關閉閘極上的尖峰。
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Onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC(碳化矽)MOSFET針對快速開關應用進行了最佳化,具有低至22mΩ的漏極至源極導通電阻。M3S系列SiC MOSFET在使用18V柵極驅動驅動器時可提供最佳效能,且在使用15V柵極驅動時也能很好地運行。此裝置採用平面技術,可在負閘極電壓驅動下可靠地工作,並能關閉閘極上的尖峰。