NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET

Onsemi  NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC(碳化矽)MOSFET針對快速開關應用進行了最佳化,具有低至22mΩ的漏極至源極導通電阻。M3S系列SiC MOSFET在使用18V柵極驅動驅動器時可提供最佳效能,且在使用15V柵極驅動時也能很好地運行。此裝置採用平面技術,可在負閘極電壓驅動下可靠地工作,並能關閉閘極上的尖峰。 

結果: 4
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L 827庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L 819庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3 36庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L 205庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC