80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs

Toshiba 80V N-Channel U-MOS X-H MOSFETs provide high-speed switching, a small gate charge, and low power dissipation. The U-MOS X-H MOSFETs offer an excellent drain-source on-resistance (RDS(ON)) x transmission resistance x input capacitance (Ciss) value leading to high conductivity and low gate driver losses. The reduced output capacitance (COSS) lowers the output charge (QOSS), increasing the switching efficiency of these devices. These MOSFETs are suitable for switching voltage regulators, motor drivers, and high-efficiency DC-DC converters.

結果: 11
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
封裝
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 2.4mohm
規格書
894庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 178 nC + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
規格書
4,465庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 56 nC + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
規格書
5,924庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 55 nC + 175 C 150 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm
規格書
71庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 102 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
規格書
7庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 2.44 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 179 nC + 175 C 47 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
規格書
268庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 70 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 54 nC + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
規格書
488庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 80 V 58 A 6.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 41 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
規格書
129庫存量
10,000在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2) N-Channel 1 Channel 80 V 62 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 7mohm
規格書
435庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC + 175 C 87 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
規格書
39庫存量
20,000預期2026/5/11
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
規格書
150預期2026/4/13
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 110 nC + 175 C 230 W Enhancement Tube