NTHL022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTHL022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are a family of 1200V M3S planar SiC MOSFETs optimized for fast switching applications. The onsemi NTHL022N120M3S features planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off spikes on the gate. The MOSFETs have optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱

onsemi 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
規格書
323庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
規格書
682庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
規格書
590庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC