NTH4L028N170M1

onsemi
863-NTH4L028N170M1
NTH4L028N170M1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 118

庫存：
118
可立即送貨
在途量:
450
預期2026/2/20
工廠前置作業時間：
18
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$1,258.34 NT$1,258.34
NT$955.06 NT$9,550.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
81 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
EliteSiC
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 13 ns
互導 - 最小值: 31 S
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 18 ns
系列: NTH4L028N170M1
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
標準斷開延遲時間: 121 ns
標準開啟延遲時間: 47 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

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