NVHL060N065SC1

Name: onsemi NVHL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL060N065SC1
Price: 597.26 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NVHL060N065SC1

製造商編號：

NVHL060N065SC1

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

規格書:

NVHL060N065SC1 規格書

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$597.26	NT$597.26
	NT$421.60	NT$4,216.00
	NT$337.71	NT$40,525.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	47 A
Rds On - 漏-源電阻:	44 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.3 V
Qg - 閘極充電:	74 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	176 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	8 ns
互導 - 最小值:	2 S
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	32 ns
系列:	NVHL060N065SC1
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	23 ns
標準開啟延遲時間:	12 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NVHL060N065SC1 規格書

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合規守則

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

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