650V和1200V第三代SiC MOSFET

Toshiba 650V和1200V第三代SiC MOSFET係專為高功率工業應用所設計，適用於像是400V和800V AC輸入AC-DC電源供應器、光電 (PV) 變頻器，以及不斷電系統 (UPS) 的雙向DC-DC轉換器。這些Toshiba MOSFET採用SiC技術，對於降低耗電量和提高功率密度很有幫助，因為這項技術能提供更高的電壓、更快的切換和更低的導通電阻。此設計不只具有低輸入電容、一般的閘極輸入電荷，以及僅15mΩ的汲極至源極導通電阻，更進一步提升了可靠性。            

結果: 24
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
Toshiba 碳化矽MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
規格書
2,500庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 45 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
規格書
2,480庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 81 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
規格書
2,493庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 136 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.
規格書
2,500庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 183 mOhms - 10 V, 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm
規格書
50庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
規格書
31庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC - 55 C + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
規格書
49庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 21 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC - 55 C + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
規格書
142庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 128 nC + 175 C 342 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm
規格書
67庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm
規格書
35庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 30 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 82 nC + 175 C 249 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
規格書
111庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 57 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm
規格書
52庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 48 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC + 175 C 132 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
規格書
214庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm
規格書
36庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC + 175 C 170 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm
規格書
61庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 140 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 113 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm
規格書
4庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm
規格書
15庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 145 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 83 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 28 nC + 175 C 111 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm
規格書
40庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 107 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 21 nC + 175 C 76 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm
規格書
20預期2026/6/22
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 15 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 158 nC + 175 C 431 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm
規格書
176預期2026/7/17
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 27 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 65 nC + 175 C 156 W Enhancement
Toshiba 碳化矽MOSFET G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 41 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement