QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

結果: 34
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
規格書
375庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
規格書
17庫存量
100預期2026/8/18
最少： 1
倍數： 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

NI-650 N-Channel
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
規格書
48庫存量
最少： 1
倍數： 1

NI-200
Qorvo 氮化鎵場效應管 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
規格書
29庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
規格書
15庫存量
最少： 1
倍數： 1

NI-200
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
規格書
48庫存量
50預期2026/9/9
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
規格書
123庫存量
最少： 1
倍數： 1

NI-200
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
規格書
65庫存量
最少： 1
倍數： 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-4GHz 45W GaN 48V
規格書
250預期2026/9/29
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
規格書
29庫存量
最少： 1
倍數： 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
規格書
96庫存量
700預期2026/7/27
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
規格書
9庫存量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
規格書
75預期2026/7/27
最少： 1
倍數： 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
規格書
1,550預期2026/8/19
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
規格書
355預期2026/7/27
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
規格書
19預期2026/7/27
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
規格書
產品評論
100預期2026/8/3
最少： 100
倍數： 100

Die N-Channel
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
規格書
產品評論
50預期2026/8/28
最少： 50
倍數： 50

Die N-Channel
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
規格書
產品評論
100預期2026/8/3
最少： 50
倍數： 50

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
規格書
25預期2026/7/20
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
規格書
40預期2026/7/20
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo 氮化鎵場效應管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 18
倍數： 18

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 100
倍數： 100
: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W