CGHV59070F

Name: MACOM CGHV59070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV59070F
Price: 27279.9 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

941-CGHV59070F

製造商編號：

CGHV59070F

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt

規格書:

CGHV59070F 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於MACOM CGHV59070F的資訊

庫存量: 29

庫存：: 29 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 26 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$27,279.90	NT$27,279.90
	NT$23,983.60	NT$239,836.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	440224
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	6.3 A
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
品牌:	MACOM
增益:	14 dB
最大工作頻率:	5.9 GHz
最低工作頻率:	4.4 GHz
輸出功率:	76 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	25
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V, 2 V
每件重量:	7.797 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CGHV59070F 規格書 (PDF)

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT

MACOM CGHV59070 RF Power Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides a general-purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. Operating from a 50V rail, the module delivers high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This 70W internally matched GaN HEMT is ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CGHV59070 70W RF Power GaN HEMT is offered in a 440224 package.