Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

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說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
規格書
85庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
規格書
73庫存量
1,200預期2026/3/16
最少： 1
倍數： 1
捲: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
規格書
594庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
規格書
510庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
規格書
1,597庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
規格書
593庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package
規格書
90庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
規格書
600預期2026/7/27
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
規格書
1,200在途量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
規格書
400在途量
最少： 1
倍數： 1
捲: 600

SiC MOSFETS


STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
規格書
996預期2026/4/22
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
規格書
1,113預期2026/3/10
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 600

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
規格書
844預期2026/10/26
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
規格書
100在途量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SiC MOSFETS
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
規格書
無庫存前置作業時間 17 週
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A
規格書
無庫存前置作業時間 17 週
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SCT055H65G3AG
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

SiC MOSFETS