HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET 500V 16A
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 16 A 360 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 16A
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/18A TO-263
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 20 A 300 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 600V 22A N-CH POLAR
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50
Si HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
規格書
暫無庫存
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 250V 44A N-CH X3CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 600 V 4 A 2.2 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 850V 3.5A N-CH XCLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 50A N-CH X3CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 500 V 5 A 1.65 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 150V 76A N-CH TRENCH
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 7A
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 600 V 7 A 1.15 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/8A TO-263
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
規格書
前置作業時間 37 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 100 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube