HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 170 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 258 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 44 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 210 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 1.5 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 279 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.1 kV 40 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 310 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChHiPerFET-Q3 Class TO-264(3)
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.1 kV 40 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 900 V 52 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 308 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 62 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 270 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
規格書
前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 70 A 89 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 1.785 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 82 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 82 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 275 nC 1.56 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 340 nC - 55 C + 150 C 1.785 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 100 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 102 Amps 0V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 150V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 0V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 157 nC - 55 C + 175 C 694 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
規格書
前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-247
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id12 BVdass800
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 850 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 150 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 177 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
規格書
前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 150 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds
規格書
前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 760 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 160 Amps 150V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 9.6 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 54 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement HiPerFET Tube