HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120A 300V
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 140 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160A 300V
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 160 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 335 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 170 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 34 週
最少： 25
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 20 Amps 1200V 1 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 49 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 193 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 220Amps 150V
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 220 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 162 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 26 Amps 1000V
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 390 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC + 150 C 1 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 36A
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 365 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 48A
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 135 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 1 kW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 52A 1000V POWER MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 36 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube