HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 96 nC 1.04 mW HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 200V 90A N-CH X3CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 54 Amps 300V 0.033 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 60 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 65 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 9 A 1.04 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET 暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 10.5 A 660 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 200 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 49 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 13 A 630 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 570 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET GigaMOS Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 25 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 156 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 105 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 900 V 13 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 58 nC - 55 C + 150 C 230 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 197 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 65 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 15 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 30A
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 166 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1000V
規格書
無庫存前置作業時間 35 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 340 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A
規格書
無庫存前置作業時間 36 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 23 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 800V 0.29 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 46 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 20A
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 21 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube