HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 36 V 380 A 1 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 260 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 48 A 50 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 50 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 150 V 56 A 36 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 60 Amps 200V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 40 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 75 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds
規格書
前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 105 V 80 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TrenchT2 MOSFET Power MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 80 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 29 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 480 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 175 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 300
倍數： 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6.3 mOhms - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 150V 102A N-CH TRENCH
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 130 A 12 mOhms HiPerFET Bulk

IXYS MOSFET 160Amps 150V
規格書
無庫存前置作業時間 23 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 8 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube