HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝

IXYS MOSFET 10 Amps 1000V
規格書
337庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 12 Amps 1000V
規格書
1,382庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 12 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
規格書
1,276庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
規格書
199庫存量
300預期2026/11/16
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 1
規格書
280庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
規格書
139庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
規格書
277庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 126 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
規格書
1,331庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 42 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
規格書
490庫存量
180預期2026/7/27
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
規格書
1,167庫存量
780預期2026/4/10
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 320 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 430 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
規格書
1,481庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
規格書
280庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 500 V 34 A 180 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 44A
規格書
228庫存量
300預期2026/6/16
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
規格書
475庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 94 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
規格書
270庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
規格書
194庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 69 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 156 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
規格書
851庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
規格書
534庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
規格書
389庫存量
1,450在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
規格書
639庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 140 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 185 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHT HiperFET 100v, 170A
規格書
1,398庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
規格書
123庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 235 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
規格書
207庫存量
450預期2026/5/13
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
規格書
145庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
規格書
88庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 205 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube