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GP3T016A120H

Name: SemiQ GP3T016A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3T016A120H
Price: 435.54 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

148-GP3T016A120H

製造商編號：

GP3T016A120H

製造商：

SemiQ

說明：

碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

GP3T016A120H 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

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供貨情況

庫存：: 暫無庫存

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工廠前置作業時間：: 18 週工廠預計生產時間。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$435.54	NT$435.54
	NT$325.38	NT$3,253.80
	NT$281.18	NT$33,741.60
	NT$266.22	NT$135,772.20
	NT$225.76	NT$230,275.20

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	SemiQ
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-4L
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	350 A
Rds On - 漏-源電阻:	23 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 4.5 V, + 18 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	260 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	484 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	SemiQ
配置:	Single
下降時間:	20 ns
互導 - 最小值:	29 S
封裝:	Tube
產品:	MOSFETs
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	25 ns
系列:	GP3T
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
晶體管類型:	1 N-Channel
類型:	SiC MOSFET
標準斷開延遲時間:	65 ns
標準開啟延遲時間:	21 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

GP3T016A120H 規格書 (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GEN3 1200V SiC MOSFET 獨立裝置

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.