GP3T040A120H

SemiQ
148-GP3T040A120H
GP3T040A120H

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$265.20 NT$265.20
NT$180.88 NT$1,808.80
NT$132.60 NT$15,912.00
NT$113.56 NT$57,915.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
140 A
52 mOhms
- 4.5 V, + 18 V
4 V
108 nC
- 55 C
+ 175 C
246 W
Enhancement
品牌: SemiQ
配置: Single
下降時間: 10 ns
互導 - 最小值: 12 S
封裝: Tube
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 8 ns
系列: GP3T
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
標準斷開延遲時間: 31 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GEN3 1200V SiC MOSFET 獨立裝置

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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