GP3T080A120H

SemiQ
148-GP3T080A120H
GP3T080A120H

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

壽命週期:
新產品:
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規格書:
ECAD模型:
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18 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$168.30 NT$168.30
NT$130.22 NT$1,302.20
NT$93.50 NT$11,220.00
NT$77.86 NT$39,708.60
NT$74.80 NT$76,296.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
SemiQ
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
70 A
100 mOhms
- 4.5 V, + 18 V
4 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
147 W
Enhancement
品牌: SemiQ
配置: Single
下降時間: 9 ns
互導 - 最小值: 6 S
封裝: Tube
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 4 ns
系列: GP3T
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
標準斷開延遲時間: 19 ns
標準開啟延遲時間: 13 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

GEN3 1200V SiC MOSFET 獨立裝置

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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