IMZC120R012M2HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZC120R012M2HXK
IMZC120R012M2HXKSA1

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

壽命週期:
新產品:
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規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$789.48 NT$789.48
NT$646.00 NT$6,460.00
NT$570.52 NT$57,052.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
129 A
12 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
124 nC
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
CoolSiC
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 11.7 ns
互導 - 最小值: 38 S
封裝: Tube
產品: MOSFETs
產品類型: SiC MOSFETS
上升時間: 8.6 ns
系列: 1200V G2
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
技術: SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
標準斷開延遲時間: 21 ns
標準開啟延遲時間: 9.5 ns
零件號別名: IMZC120R012M2H SP006031758
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所選屬性: 0

規格書

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET

英飛凌 CoolSiC™ 1200V G2碳化矽MOSFET是電力電子應用的高性能解決方案。這些MOSFET展現出優異的電氣特性和極低的切換損耗，能達到高效率的運作。該1200V G2 MOSFET設計可用於過載條件，支援最高200°C的運作，並可承受長達2µs的短路。這些裝置採用4.2V基準閘極閾值電壓 (VG(th))，確保了精確的控制。

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