CoolSIC 碳化矽MOSFET

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
規格書
909庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
規格書
599庫存量
960預期2026/3/2
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
規格書
128庫存量
480預期2026/12/10
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
規格書
10庫存量
1,440在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
規格書
4,353預期2026/7/2
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC