MoBL®超可靠異步SRAM

Cypress MoBL®超可靠異步SRAM的性能可滿足各種高可靠性工業、通信、資料處理、醫療、消費和軍事應用的需求。這些SRAM可採用片上ECC。這些裝置在外形、適用性和功能上與上一代異步SRAM相容。這樣即可提高系統可靠性,而無需PCB重新設計投資。這些是首個將快速異步SRAM的存取時間與獨特的超低功率睡眠模式 (PowerSnooze™) 結合在一起的裝置系列。透過這些Cypress快速SRAM,在異步SRAM應用中無需在性能和功耗之間進行權衡。透過被稱為PowerSnooze的全新超低功率休眠模式,可讓現有產品系列實現最佳特性。PowerSnooze是標準異步SRAM工作模式(活動、待機和資料保留)的另一個工作模式。深度睡眠腳位 (DS#) 支援在高性能活動模式和超低功率PowerSnoze模式之間切換裝置。4Mb裝置上的深度睡眠電流低至15μA,具有PowerSnooze功能的快速SRAM將快速和微功耗SRAM的最佳特性融合在單一裝置中。

結果: 12
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝
Infineon Technologies SRAM ASYNC 84庫存量
最少: 1
倍數: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62187G30-55BAXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 294庫存量
最少: 1
倍數: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 240庫存量
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G18-55BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G30-45ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G30-45ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157GE30-45ZXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62158G30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62158G30-45ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62177G30-55BAXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

32 Mbit 4 M x 8/2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157GE30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray