IS38Sx Flash Memory Devices

ISSI IS38Sx Flash Memory Devices are 1GB/2GB/4GB devices that are based on the standard parallel NAND Flash. These memory devices follow industry-standard Serial Peripheral Interface (SPI). The IS38Sx memory devices are designed to provide a non-volatile memory storage solution in systems where the pin count must be kept to a minimum. These memory devices offer an advanced write protection mechanism for data security, such as software write protection with a block lock register. The IS38Sx memory devices support write protection with WP# and permanent block lock protection command.

結果: 16
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
組織
數據匯流排寬度
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade
規格書
475在途量
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 4,000
倍數： 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C Reel

ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少： 4,000
倍數： 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 無庫存前置作業時間 52 週
最少： 4,000
倍數： 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel

ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C Reel
ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 4,000
倍數： 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C Reel

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 480
倍數： 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 無庫存前置作業時間 52 週
最少： 480
倍數： 480

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C
ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 無庫存前置作業時間 52 週
最少： 480
倍數： 480

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 無庫存前置作業時間 52 週
最少： 480
倍數： 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C
ISSI NAND快閃 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C

ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 480
倍數： 480

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C
ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 480
倍數： 480

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C