CY62 Asynchronous SRAM

Infineon Technologies CY62 Asynchronous SRAMs integrate single-bit error correction capability and bit-interleaving techniques to mitigate the effects of soft errors. The result is a family of devices that provide best-in-class features and the highest levels of reliability. With the performance to serve a wide variety of industrial, communication, data processing, medical, consumer, and military applications, the latest technology Fast and MOBL™ SRAM devices are form-fit-function compatible with existing Asynchronous SRAM devices based on older technology nodes.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
封裝
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
規格書
382庫存量
最少： 1
倍數： 1

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 960
倍數： 960

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 2,400
倍數： 2,400

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray