200 MHz DRAM

結果: 146
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industriall Temp A Die
規格書
108庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C8M16D1A Tray
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray
規格書
108庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 4.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C4M16SA Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
13庫存量
480預期2026/8/4
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Winbond DRAM 128Mb DDR SDRAM x16 200MHz, 46nm
規格書
203庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C W9412G6KH Tray
Winbond DRAM 256Mb SDR SDRAM x16, 200MHz
規格書
4庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 100

SDRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C W9825G6KH Tray
ISSI DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 200MHz @ CL3, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS
規格書
112庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz BGA-144 4 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
117庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray
規格書
23庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128MB, 4M X 32, 2.5V, 144BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
規格書
24庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C4M32D1A Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
規格書
2,880預期2026/7/21
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
59庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
規格書
54庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
1,014在途量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
479預期2026/10/8
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
規格書
1,200預期2026/7/16
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 16 M x 8/8 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel