SiT8008 Low Power Programmable Oscillators

SiTime SiT8008 and SiT8008B low-power programmable oscillators include a programmable drive strength feature to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall time for specific applications. The programmable drive strength improves system radiated electromagnetic interference (EMI) by slowing down the clock rise/fall time. The programmable drive strength also improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by decreasing (speeding up) the clock rise/fall time. The components have the ability to drive large capacitive loads while maintaining full swing with sharp edge rates. The oscillators exhibit EMI reduction by slowing rise/fall time and jitter reduction with faster rise/fall time. Power supply noise can be a source of jitter for the downstream chipset. One way to reduce this jitter is to speed up the rise/fall time of the input clock. Some chipsets may also require faster rise/fall time in order to reduce their sensitivity to this type of jitter. The components have high output load capability. The rise/fall time of the input clock varies as a function of the actual capacitive load the clock drives. At any given drive strength, the rise/fall time becomes slower as the output load increases. The devices can support up to 60pF or higher in maximum capacitive loads with drive strength settings.

結果: 152
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS 封裝/外殼 頻率 頻率穩定性 負載電容 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 輸出格式 额定电流 最低工作溫度 最高工作溫度 資格 系列
SiTime MEMS振盪器 100MHz 1.8V -40C +85C 50ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

100 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 24.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 24 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 16MHz 3.3V -40C +85C 50ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1
: 250

16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 16MHz 3.3V -40C +85C 50ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

16 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 12.288MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 12.288 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 33.33333MHz 2.5V 50ppm -40C +85C 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 25.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1
: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 30.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1
: 250

7 mm x 5 mm 30 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 50.0MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1
: 250

7 mm x 5 mm 50 MHz 50 PPM 60 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 1.8432MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1
: 250

1.8432 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 242.806MHz 3.3V -40C +85C 20ppm 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

24.806 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS振盪器 0 0 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 4.718592 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 13.91222MHz 20ppm -20 to 70C 3.3V 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 13.91222 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 14.64 MHz 20ppm -20 to 70C 3.3V 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 14.64 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 33.33333MHz 1.8V 50ppm -20C +70C 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 1,000
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 10MHz 20ppm 1.8V -20 to 70C 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 10 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 70MHz 20ppm 1.8V -40C +85C 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 70 MHz 20 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 6MHz 3.3V -40C +85C 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 6 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 12MHz 3.3V -40C +85C 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 12 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 50.211MHz +/-20pppm 3.3V+/-10% -40C+85C 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 50.211 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 66MHz 20ppm 2.5V -40 to 85C 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 66 MHz 20 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 12 MHz 1.8V 25ppm -40 to 85C 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 12 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 20.75MHz 25ppm 1.8V -40 to +85C 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 20.75 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 24.54545MHz 25ppm -40 to +85C 1.8V 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 4.54545 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008
SiTime MEMS振盪器 2.048MHz 1.8V 25ppm -40 to 85C 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 2.048 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 40 C + 85 C SiT8008