STMicroelectronics IGBT

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
規格書
2,258庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 24 W - 55 C + 175 C STGF5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
規格書
140庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 30 A 31 W - 55 C + 175 C STGF15M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
規格書
478庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 32.6 W - 55 C + 175 C STGF20M65DF2 Tube