STMicroelectronics 碳化矽MOSFET

結果: 11
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
規格書
714庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 91 A 21 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 150 nC - 55 C + 200 C 547 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
規格書
47庫存量
600預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 10 V, + 22 V 1.9 V 157 nC - 55 C + 200 C 390 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
規格書
604庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 1 Ohms - 10 V, + 25 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 200 C 120 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
規格書
510庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 239 mOhms - 20 V, + 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 200 C 175 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
規格書
571庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
規格書
281庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 69 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 162 nC - 55 C + 200 C 420 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
規格書
111庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
規格書
588預期2026/6/24
最少： 1
倍數： 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 500 mOhms - 10 V, + 25 V 3.5 V 22 nC - 55 C + 200 C 150 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
規格書
無庫存前置作業時間 17 週
最少： 600
倍數： 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 600
倍數： 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
規格書
無庫存前置作業時間 17 週
最少： 600
倍數： 600

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement