EPC 氮化鎵場效應管

結果: 56
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
通道模式
公司名稱
EPC 氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
規格書
1,750庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 5.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 7.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
規格書
700庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 126 A 2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 20 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
規格書
5,000庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 50 V 9.6 A 8.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
規格書
8,900庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
規格書
14,900庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 3.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.3 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
規格書
14,784庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 63 A 10 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
規格書
2,455庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-12 N-Channel 1 Channel 350 V 6.3 A 80 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
規格書
990庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT LGA-22 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 18 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
規格書
4,677庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 10.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
規格書
12,500庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 8.2 A 11 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
規格書
6,000庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 150 V 63 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 11.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
規格書
1,960庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 3.3 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
規格書
12,470庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
規格書
4,900庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 500

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 2.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
規格書
12,462庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 13.6 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
規格書
12,467庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-5 N-Channel 1 Channel 40 V 10 A 16 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
規格書
9,130庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 45 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 880 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
規格書
12,440庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 73 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 700 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
規格書
20,000庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 550 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 115 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
規格書
12,227庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 100 V 0.5 A 3.3 Ohms 6 V 2.5 V 44 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
規格書
7,500庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 30 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 745 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
規格書
5,000庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
規格書
12,500庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 8.2 A 13.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 3.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
規格書
12,500庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 3 A 43 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 2.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
規格書
2,480庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET