EPC 氮化鎵場效應管

結果: 56
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
通道模式
公司名稱
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
規格書
2,480庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 170 V 24 A 9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
規格書
2,998庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
規格書
1,998庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT LGA-14 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 1.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
規格書
4,084庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 23 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
規格書
1,000庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 500

SMD/SMT Die N-Channel 2-Channel 80 V 30 A 5.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.5 nC, 6.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
規格書
12,479庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 80 V 1.7 A 80 mOhms - 4 V, 5.75 V 2.5 V 670 pC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
規格書
4,960庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 26 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.87 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
規格書
2,390庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
規格書
2,500庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 4 A 130 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
規格書
4,990庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 160 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 360 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
規格書
20,000預期2026/5/8
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
規格書
30,000預期2026/5/8
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 1.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
規格書
15,000預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SMD/SMT FCQFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 133 A 5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 21 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
規格書
15,000預期2026/5/8
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 80 V 133 A 1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 28 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
規格書
15,000預期2026/5/8
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
規格書
7,500預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 100 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
規格書
3,000預期2026/5/8
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 1.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 25 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
規格書
2,500預期2026/5/8
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 2 Channel 100 V 1.7 A 70 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 730 pC, 730 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
規格書
2,500預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
規格書
7,500預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 14 A 22 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
規格書
12,360預期2026/4/20
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 20 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,500
倍數： 500
捲: 500

SMD/SMT BGA-24 N-Channel 1 60 V 48 A 2.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 16 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 12,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

SMD/SMT Die N-Channel 1 100 V 9.4 A 10.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.3 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 5,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

SMD/SMT LGA-16 N-Channel 1 40 V 80 A 2.25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC 氮化鎵場效應管 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 5,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

SMD/SMT N - Channel 1 Channel 100 V 69 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET