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氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2102
- EPC
-
2,500:
NT$176.46
-
無庫存前置作業時間 18 週
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Mouser 元件編號
65-EPC2102
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EPC
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氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
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無庫存前置作業時間 18 週
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最少： 2,500
倍數： 500
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SMD/SMT
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BGA-75
|
N-Channel
|
2 Channel
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60 V
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30 A
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4.9 mOhms
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6 V, - 4 V
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2.5 V
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8 nC, 11 nC
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- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
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eGaN FET
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氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2104
- EPC
-
2,500:
NT$176.46
-
無庫存前置作業時間 18 週
|
Mouser 元件編號
65-EPC2104
|
EPC
|
氮化鎵場效應管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
|
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無庫存前置作業時間 18 週
|
|
最少： 2,500
倍數： 500
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SMD/SMT
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Die
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2 Channel
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100 V
|
30 A
|
6.8 mOhms
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6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
6.8 nC, 6.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
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氮化鎵場效應管 EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2110
- EPC
-
12,500:
NT$34.00
-
無庫存前置作業時間 18 週
|
Mouser 元件編號
65-EPC2110
|
EPC
|
氮化鎵場效應管 EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
無庫存前置作業時間 18 週
|
|
最少： 12,500
倍數： 2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA
|
N - Channel
|
2 Channel
|
120 V
|
3.4 A
|
110 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
0.8 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
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氮化鎵場效應管 EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2221
- EPC
-
12,500:
NT$39.10
-
無庫存前置作業時間 18 週
|
Mouser 元件編號
65-EPC2221
|
EPC
|
氮化鎵場效應管 EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
無庫存前置作業時間 18 週
|
|
最少： 12,500
倍數： 2,500
|
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|
SMD/SMT
|
BGA
|
N - Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
5 A
|
58 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
0.85 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
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氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
- EPC2234
- EPC
-
2,500:
NT$215.90
-
無庫存前置作業時間 18 週
-
新產品
|
Mouser 元件編號
65-EPC2234
新產品
|
EPC
|
氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
|
|
無庫存前置作業時間 18 週
|
|
最少： 2,500
倍數： 500
|
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|
SMD/SMT
|
BGA
|
N - Channel
|
1 Channel
|
160 V
|
48 A
|
8 mOhms
|
- 4 V
|
2.5 V
|
11.1 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
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氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8002
- EPC
-
12,500:
NT$52.02
-
無庫存前置作業時間 18 週
|
Mouser 元件編號
65-EPC8002
|
EPC
|
氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
無庫存前置作業時間 18 週
|
|
最少： 12,500
倍數： 2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
65 V
|
2 A
|
480 mOhms
|
6 V, - 4 V
|
2.5 V
|
133 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
|
臺灣