X2-Class 系列 MOSFET

結果: 17
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-264(3)
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
規格書
101庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
規格書
232庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP
規格書
220庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP
規格書
280庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP
規格書
87庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-252D
規格書
238庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-252D
規格書
29庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
規格書
60庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 350
倍數： 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-247AD
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-252D
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXTY4N65X2 TRL
規格書
無庫存前置作業時間 41 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 80 W Reel