STMicroelectronics 氮化鎵場效應管

結果: 8
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 711庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 327庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,800

SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
1,000預期2026/6/8
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement
STMicroelectronics 氮化鎵場效應管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 前置作業時間 62 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W