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STGP6M65DF2

Name: STMicroelectronics STGP6M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP6M65DF2
Price: 60.86 TWD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STGP6M65DF2

製造商編號：

STGP6M65DF2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

完成您的設計

規格書:

STGP6M65DF2 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$60.86	NT$60.86
	NT$29.14	NT$291.40
	NT$26.04	NT$2,604.00
	NT$20.57	NT$10,285.00
	NT$18.80	NT$18,800.00
	NT$17.54	NT$35,080.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-220-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.55 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	12 A
Pd - 功率消耗 :	88 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STGP6M65DF2
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	12 A
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
柵射極漏電電流:	+/- 250 uA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	1000
子類別:	IGBTs
每件重量:	1.800 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STGP6M65DF2 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.