IXYS MOSFET

結果: 1,579
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝

IXYS MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
規格書
636庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 193 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
規格書
831庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 525 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarP2 Power MOSFET
規格書
836庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TenchP Power MOSFET
規格書
2,106庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
規格書
414庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET
規格書
272庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TenchP Power MOSFET
規格書
2,785庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
規格書
769庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A
規格書
310庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
規格書
659庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 500V 16A
規格書
2,989庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
規格書
235庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
規格書
295庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
規格書
173庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
規格書
515庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
規格書
324庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
規格書
298庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 300 V 210 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
規格書
408庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
規格書
1,942庫存量
最少： 1
倍數： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 52 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
規格書
475庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 50 V 140 A 9 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 200 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement TrenchP Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
規格書
204庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 100 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 152 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds
規格書
394庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 82 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 142 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement PolarHT Tube

IXYS MOSFET PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
規格書
213庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 600V 12
規格書
243庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 2 Channel 600 V 12 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Tube