APC-E 碳化矽MOSFET

結果: 20
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
規格書
288庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
規格書
268庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
270庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
290庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
300庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
規格書
300庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
規格書
300庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
規格書
290庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
規格書
600預期2026/8/28
最少： 1
倍數： 1
捲: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
300預期2026/5/8
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
規格書
300預期2026/7/3
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
規格書
300預期2026/3/26
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
規格書
300預期2026/3/26
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement

APC-E 碳化矽MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300預期2026/5/8
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E 碳化矽MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
300預期2026/4/24
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E 碳化矽MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300預期2026/4/3
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E 碳化矽MOSFET 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
規格書
300預期2026/4/3
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E 碳化矽MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
規格書
無庫存前置作業時間 15 週
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C