4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

結果: 17
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
規格書
833庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
規格書
683庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 43 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
規格書
1,156庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
規格書
515庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
規格書
583庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
規格書
49庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
規格書
321庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
規格書
670庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 750V 34A N-CH SIC
規格書
810庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 750V 56A N-CH SIC
規格書
814庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC
規格書
620庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC
規格書
332庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
規格書
259庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 750V 51A N-CH SIC
規格書
2,020庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC
規格書
1,996庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC
規格書
1,488庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 1,000

SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 93 W Enhancement