GS8162Z36DB 系列 SRAM

結果: 21
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
最高時鐘頻率
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
封裝
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 260 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 290 mA, 370 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
18 Mbit 512 k x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 385 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 245 mA, 265 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 260 mA, 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 175 mA, 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 205 mA, 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 225 mA, 245 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
18 Mbit 512 k x 36 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 260 mA, 315 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 21
倍數： 21
否
18 Mbit 512 k x 36 5 ns 333 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 240 mA, 310 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
18 Mbit 512 k x 36 4.2 ns 375 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 270 mA, 350 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
18 Mbit 512 k x 36 4 ns 400 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 280 mA, 365 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS8162Z36DB-150I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS8162Z36DB-200I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology GS8162Z36DB-250I
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray